随着半导体工艺技术的发展,为了测量套刻误差(Overlay Error),套刻管控的重要性日益凸显,预计套刻测量Point数的增加,将带来套刻设备需求的上涨。
在半导体制造工艺中,要反复进行沉积(deposition)、光刻(Lithography)、蚀刻(Etch)等工序,要不断重复在晶圆上依次形成模式的过程。 这些层(Layer)堆积时,各模式必须堆积在所需的位置上,这样才不会发生不良现象,半导体才能正常运转。
在利用光刻机在晶圆上形成模式的“光刻(Photo Lithography)工序”中,套刻测量是利用光学装置测量之前工序的模式和现工序中形成的模式是否正确重叠并按照设计连接的一道工序。
12inch Overlay OL-1000n
12inch Overlay OL-900n
12inch Overlay HE-900ir
8inch Overlay OL-100n